1. Les mémoires mortes ROM
2. Les mémoires vives RAM
3. Capacité d'un circuit mémoire
4. Objectif décodage d'adresses
5. Principe de gestion des zones d'adresses

  Les Mémoires Mortes ( ROM : Read Only Memory ) 

  ROM (Read Only Memory)

masque de fabrication à :

- diodes disposées sur un réseau de lignes et de colonnes

- ou à transistors dont sont effectuées des coupures à leurs bases.

  PROM à fusibles ou FPROM (Fuse Prom)

réalisée à partir de transistors bipolaires dont leurs liaisons entre l'émetteur et la colonne sont effectuées par l'intermédiaire d'un fusible.

  EPROM

elles possèdent les avantages de la PROM avec un plus, qui est l'effacement des données par l'utilisateur.

  OTP (One Time Prom)

- programmable une seule fois

- mémoire en technologie MOS

  UVPROM

- effaçable aux UV

- constituée de transistors MOS dont la grille est isolée

- 10 à 20 minutes pour effacer

- haute tension de programmation environ 25 volts

- effacement de toute la capacité de la mémoire

  EEPROM ou E2PROM

- effaçable électriquement

- 10 à 20 minutes pour effacer

- coût de fabrication élevé

- effacement adresse par adresse

  EPROM FLASH

- effaçable électriquement

- plus rapide que les EEPROM

- effacement de toute la capacité de la mémoire

- prix plus faible que les EEPROM

- haute tension de programmation environ 12 volts

  Les Mémoires Vives ( RAM : Ramdom Access Memory ) 

Les mémoires RAM sont volatiles et à accès direct. Dans cette catégorie de mémoires on trouve :

Les mémoires RAM statiques (SRAM) dans lesquelles les informations sont mémorisées par une bascule et conservées tant que l'alimentation est présente (mémoire volatile), elles sont réalisées en technologie MOS ou bipolaire.

Les mémoires RAM dynamiques (DRAM) qui utilisent un condensateur comme cellule mémoire (un bit mémorisé) de l'information. Cette information tend à se dégrader à cause des courants de fuites, ce qui nécessite un rafraîchissement periodique.

  Capacité d'un circuit mémoire 

La capacité mémoire caractérise le nombre de bits ou d'octets mémorisables par un circuit mémoire. Elle est exprimée en clair :

  64k x 8 = 512k, cet un circuit qui mémorise 64k mots de 8bits ( 1 octet ), sa capacité est donc de 512k.

  64k x 16 = 1024k, cet un circuit qui mémorise 64k mots de 16bits, sa capacité est de 1024k = 1Méga.

1k = 1024; 1Méga = 1024K

  Exemple

Un circuit mémoire de 10 lignes d'adresse = 2¹⁰   = 1024 de 8 lignes de données, ce ^{circuit mémoire de 1k de mots binaires de 1 octet, à donc une capacité de 1024 x 8 = 8192 bits ou 8 kbits ou 1024 octets.}

  Objectif du décodage d'adresses 

^{A une adresse présentée par le microprocesseur, un seul périphérique ( RAM, P.I.A., etc. ) doit répondre.}

  Principe de gestion des zones d'adresses 

L'adresse complémentaire est fixe.

Le circuit mémoire est implanté dans la zone adressable de $2000 à $2FFF.

L'adresse complémentaire est programmable. Une commande matérielle permet de modifier l'espace adressable du circuit mémoire.

Huit implantations sont possibles de $0000 - $1000 à la zone mémoire $E000 - $FFFF.

Copyright © 2000, Jean-Michel Gaborit, Lycée de la Communication de Metz.
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