Les EEPROM sont aussi des PROM effaçables, mais contrairement aux EPROM, celles-ci peuvent être effacées par un simple courant électrique, c'est-à-dire qu'elle peuvent être effacées même lorsqu'elles sont en position dans l'ordinateur.
UVPROM : Prom reprogrammable après régénération sous ultra violets (10 à 20 mn). constituée de transistors MOS dont la grille est isolée , elle a besoin d' une haute tension de programmation environ 25 volts .Seul inconvénient l' effacement de toute la capacité de la mémoire par UV .
OTP ( One Time PROM ) : Programmable une seule fois , technologie MOS .
EPROM : elles possèdent les avantages de la PROM avec un plus, qui est l'effacement des données par l'utilisateur électriquement mais de toute la capacité de la mémoire .
EEPROM ou E2PROM : Prom effaçable électriquement adresse par adresse ( 10 à 20 mn ) .
EPROM FLASH : Prom effaçable électriquement de toute la capacité de la mémoire ( plus rapide à effacer que les EEPROM ).La tension de programmation de 12 Volts et un prix plus faible que les EEPROM en font un produit très répandu de nos jours .
Le transistor SAMOS (Staked gate avalanche injection MOS transistor).
Une forte tension électrique (>24
volts) est appliquée entre le drain
et la grille G2.
Par effet tunnel, des électrons traversent l'isolant (dioxyde
de silicium) séparant le drain de la
grille flottante G1
Ils se trouvent alors piégés dans cette grille.
Celle-ci est donc portée à un potentiel négatif, entraînant
la formation d'un canal d'inversion
entre les deux zones P+, rendant passant le transistor.
Cette charge se maintient une dizaine d'années en
condition normale.
Cette mémoire est programmable et effaçable électriquement sans être enlevée de son support.
L'effacement et l'écriture sont électriques mais très lents (quelques millisecondes par
octet).
Elles peuvent servir de RAM non volatile si les changements ne
sont pas fréquents.
Avantages :
Comportement d'une RAM non Volatile
inconvénients :
Coût plus élevé
Très lente
Dernière mise à jour le 08/11/2000 .
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